中国·新葡萄(8883·AMG)官方网站 - Ultra Platform

Infineon英飞凌IRFG110四路N沟道MOSFET

发布时间：2024-04-09 09:42:25     浏览：681

　　Infineon英飞凌的IRFG110是一款四路N沟道MOSFET，属于JANTX2N7334和JANTXV2N7334系列。该器件具有高可靠性、低静态电流和良好的散热能力等特点。它采用了HEXFET技术，这是英飞凌公司先进的功率MOSFET晶体管技术，通过高效的几何设计实现了非常低的导通电阻与高跨导相结合。此外，HEXFET晶体管还保留了MOSFET的所有公认优点，如电压控制、快速切换、易于并联以及电参数温度稳定性。

Infineon英飞凌IRFG110四路N沟道MOSFET

　　IRFG110特别适用于需要高可靠性的应用，如开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器和高能脉冲电路等。它还具有简单的驱动要求和易于并联的特性。

　　此外，IRFG110采用THRU-HOLE (MO-036AB)封装类型，其电压等级为100V。符合MIL-PRF-19500/597军用标准。

Part Number

RDS(on

ID

  RFG110

0.7 Q

1.0A

类似零件:

IRFG110

采用密封包装的IRFG110

JANTX2N7334

采用密封包装的JANTX2N7334

JANTXV2N7334

采用密封包装的JANTXV2N7334

深圳市新葡萄AMG创展科技有限公司，优势分销Infineon英飞凌部分产品线，快速交付，欢迎联系。

推荐资讯

  • RA2A1 微控制器Renesas
    RA2A1 微控制器Renesas 2023-02-10 16:51:51

    Renesas的RA2A1微控制器(MCU)系列选用性能卓越Arm?Cortex?-M23内核模块，提供高宽比集成化、高精度模拟性能参数。RA2A1微控制器提供一整套MCUS脉冲调制和检测模拟解决方案。

  • Q-Tech QT4107SDM-55.000MHz低相位噪声OCXO
    Q-Tech QT4107SDM-55.000MHz低相位噪声OCXO 2024-12-06 08:43:14

    Q-Tech 的高稳定性炉控晶体振荡器（OCXO）是一款专为航空航天应用设计的高可靠性信号发生器，提供正弦波或 HCMOS 输出，能耐受高达 100kRad 的辐射、高冲击和振动。其低 G-灵敏度 SC-切割晶体确保了极低的相位噪声，性能可达 1PPB/G 或更优，适用于严苛环境。规格包括 1MHz 至 125MHz 的输出频率范围，支持多种供电电压，初始容差为 ±0.2ppm，频率稳定性在温度范围内为 ±10PPB，预热时间 10 分钟。

在线留言

在线留言
【网站地图】【sitemap】