中国·新葡萄(8883·AMG)官方网站 - Ultra Platform

  • Infineon英飞凌IRHMS67260抗辐射功率MOSFET

    发布时间：2024-04-10 09:53:17     浏览：636

    　　IRHMS67260是一款抗辐射的N沟道MOSFET，具有200V的额定电压和45A的电流容量。它采用单通道设计，并使用R6封装，特别是TO-254AA低电阻封装。该产品还具备100 krads (Si) TID QIRL的特性，显示了其出色的抗辐射能力。

    Infineon英飞凌IRHMS67260抗辐射功率MOSFET

    　　特点：

    　　1. 低 RDS(on)：具有低导通电阻。

    　　2. 快速切换：具有快速开关特性。

    　　3. 单粒子效应 (SEE) 强化：具有抵抗单粒子效应的能力。

    　　4. 总浇口电荷低：具有低输出电荷特性。

    　　5. 简单的驱动要求：需要简单的驱动电路。

    　　6. 密封的陶瓷孔眼：采用密封的陶瓷材料，具有优良的密封性和耐高温性。

    　　7. 电气隔离：具有电气隔离功能。

    　　8. 重量轻：整体重量较轻，适合对重量要求高的应用场景。

    　　9. 符合ESD等级标准：符合3A级的ESD等级，符合MIL-STD-750，方法1020标准。

    　　潜在应用包括DC-DC转换器、电力推进以及电机驱动等领域。这款产品适合在高辐射环境下使用，提供稳定可靠的性能。同时，产品的特性使其适用于需要快速开关和低输出电阻的应用场景。

    　　注意：随着技术的进步和市场的变化，Infineon英飞凌推出了性能更优的替代产品JANSR2N7584T1。具体可咨询新葡萄AMG创展。

    产品型号：

    Part numberPackageScreening LevelTID Leve
    IRHMS67260Low-OhmicTO-254AACOTS100 krad (Si)
    JANSR2N7584T1Low-OhmicTO-254AAJANS100 krad (Si)
    RHMS63260Low-OhmicT0-254AACOTS300 krad (Si)
    JANSF2N7584T1Low-OhmicT0-254AAJANS300 krad (Si)

    深圳市新葡萄AMG创展科技有限公司，优势分销Infineon英飞凌部分产品线，快速交付，欢迎联系。

    推荐资讯

    • 供应Connor-Winfield压控晶体振荡器VCXO
      供应Connor-Winfield压控晶体振荡器VCXO 2023-12-21 15:01:09

      Connor-Winfield的压控晶体振荡器(VCXO)是一种电压可调的晶体振荡器，通过调整输入电压来实时改变输出频率。 VCXO广泛应用于需要对频率进行微调或同步的应用，例如通信系统、数据传输、音频和视频设备等。

    • Linear Systems LSK489低电容双N沟道JFET
      Linear Systems LSK489低电容双N沟道JFET 2024-01-30 08:49:52

      Linear Systems推出的LSK489低噪声、低电容双N沟道JFET，专为所有(音频和非音频)低噪声应用而设计。

    在线留言

    在线留言
    【网站地图】【sitemap】