中国·新葡萄(8883·AMG)官方网站 - Ultra Platform

BF998E6327HTSA1硅N沟道MOSFET射频放大器Infineon英飞凌

发布时间：2024-07-01 09:26:24     浏览：2054

BF998E6327HTSA1硅N沟道MOSFET射频放大器Infineon英飞凌

　　BF998E6327HTSA1是Infineon英飞凌科技生产的一款硅N沟道MOSFET射频放大器。这款器件专为射频环境设计，适用于放大和切换电子信号。以下是该产品的详细介绍：

　　基本特性

　　最大功耗：200 mW

　　工作温度范围：-55 °C至150 °C

　　最大频率：1000 MHz

　　工作模式：耗尽模式

　　封装与运输

　　封装：卷带包装，便于快速安装和安全交付

　　技术规格

　　短通道晶体管：具有高S / C品质因数

　　适用频率：适用于低噪音、高达1 GHz的增益控制输入

　　环保标准：无铅，符合RoHS标准

　　质量标准：符合AEC Q101标准

　　应用领域

　　机顶盒

　　电视

　　车载收音机

　　电气参数

　　门输入电容(Cg1ss)：2.1 pF

　　输出电容(Cdss)：1.1 pF

　　正向跨导(gfs)：24 mS

　　功率增益(Gp)：20 dB @ 800 MHz

　　最大连续漏电流(ID)：30 mA

　　最大漏源电压(Vds)：12 V

　　噪声系数(F)：1.80 dB @ 800 MHz

　　总功耗(Ptot max)：200 mW

　　封装类型

　　封装：SOT143

深圳市新葡萄AMG创展科技有限公司，优势分销Infineon英飞凌部分产品线，快速交付，欢迎联系。

推荐资讯

  • ADI晶圆通信基站：大功率射频芯片对美依赖性极高
    ADI晶圆通信基站：大功率射频芯片对美依赖性极高 2021-06-07 17:09:06

    通信基站对国外芯片的依赖程度很高，其中大部分是美国芯片公司。目前，基站系统主要由基带处理单元（BBU）和射频�？氐ピ≧RU）组成。通常，一个BBU对应多个RRU。相比之下，RRU芯片国产化程度低，对外依存度高，主要困难在于RRU芯片涉及大功率射频场景，通常是GaAs或Gan材料，而中国大陆则缺乏相应的产业链。

  • IR HiRel GaN HEMT –氮化镓晶体管
    IR HiRel GaN HEMT –氮化镓晶体管 2021-02-22 17:15:14

    ?IR-HiRel?氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有优异的动态导通电阻和较小的电容，非常适合于高速开关。IR-HiRel不仅节省了功率，降低了系统的整体成本，而且允许更高的工作频率，提高了功率密度和系统的整体效率。

在线留言

在线留言
【网站地图】【sitemap】