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Linear Systems 3N170/3N171单N沟道增强型MOSFET

发布时间：2024-08-21 09:18:47 浏览：889

Linear Systems 3N170/3N171单N沟道增强型MOSFET

　　Linear Systems 的 3N170 和 3N171 是单 N 沟道增强型 MOSFET，这些器件设计用于快速切换电路和需要低漏源电阻的应用。以下是这些 MOSFET 的详细介绍：

　　特点：

　　直接替代性：3N170 和 3N171 可以直接替换 INTERSIL 的同型号产品，方便用户在现有设计中进行升级或替换。

　　低漏源电阻：r_ds(on) ≤ 200Ω，这意味着在导通状态下，器件的电阻较低，有助于减少功率损耗。

　　快速切换：t_d(on) ≤ 3.0ns，表明这些 MOSFET 能够快速响应开关信号，适用于高速开关应用。

　　绝对最大额定值(在 25°C，除非另有说明)：

　　存储温度：-65 至 +150 °C，表明这些器件可以在广泛的温度范围内存储。

　　工作结温：-55 至 +135 °C，说明这些 MOSFET 可以在极端温度下工作。

　　连续功率耗散：300mW，限制了器件在连续工作时的最大功率消耗。

　　最大电流(漏到源)：30mA，限制了通过器件的最大电流。

　　最大电压：

　　- 漏到栅：±35V

　　- 漏到源：25V

　　- 栅到源：±35V

　　电气特性(在 25°C，V_sb = 0V)：

SYMBOL	CHARACTERISTIC		MIN	TYP	MAX	UNITS	cONDITIONS
BVoss	Drain to Source Breakdown Voltage		25			V	o=10μA,Ves =0V
Vosion	Drain to Source "On"Voltage				2.0		p=10mA,VGs =10V
Vosah	Gate to Source Threshold Voltage	3N170	1.0		2.0		Vos =10V,lo=10μA
Vosah	Gate to Source Threshold Voltage	3N171	1.5		3.0		Vos =10V,lo=10μA
css	Gate Leakage Current				10	pA	VGs =-35V,Vos =0V
lpss	Drain Leakage Current "Off				10	nA	Vos =10V,VGs =0V
oion	Drain Current "On"		10			mA	Vcs=10V,Vos=10V
gs	Forward Transconductance		1000			μS	Vos =10V,Io=2.0mA,f=1.0kHz
ds(on	Drain to Source "On"Resistance				200	Q	VGs =10V,Io=100μA,f=1.0kHz
Crss	Reverse Transfer Capacitance				1.3	pF	Vos =0V,Vgs =0V,f=1.0MHz
Ces	Input Capacitance				5.0		Vos =10V,VGs =0V,f=1.0MHz
Cd	Drain to Body Capacitance				5.0		Voe =10V,f=1.0MHz

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