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Solitron SMF473 400V N沟道功率MOSFET

发布时间：2024-09-10 09:10:21 浏览：1970

　　Solitron SMF473是一款专为高功率应用设计的400V N沟道功率MOSFET。它具备多项关键特性，包括低R DS(on)(在400V时为40mΩ，10V时为22mΩ典型值)、高耐压(400V)、高输入电容(C iss，最大2900pF)和高输出电容(C oss，最大3900pF)，以及低反向恢复电荷(Q rr，最大22nC)。这些特性使SMF473在开关电源、电机驱动和服务器电源等应用中表现卓越。

Solitron SMF473 400V N沟道功率MOSFET

　　该MOSFET的电气规格全面，包括连续漏极电流ID为23A(在特定条件下)，脉冲漏极电流IDM高达92A，最大功率耗散P为250W，并具备线性降额因子2W/°C。其工作温度范围广泛，从-55°C至150°C，存储温度范围同样为-55°C至150°C，确保了在各种环境下的稳定运行。

　　SMF473采用TO-247-3L和D-Pak封装，不仅提供了良好的散热性能，还便于在电路板上安装和使用。其详细的规格参数和广泛的应用领域，使得Solitron SMF473成为高功率电子设计中的理想选择。

　　应用领域：

　　- 开关模式和谐振模式电源

　　- 直流-直流转换器

　　- PFC电路

　　- 交流和直流电机驱动

　　- 机器人与伺服控制

　　参数：

PARAMETER SYMBOL VALUE CONDITIONS
Continuous Drain Current	I	23A	V=10V,T=25℃
Continuous Drain Current	I	14A	Ves=10V,Te=100℃
Pulsed Drain Current (see note 1)	I	92A
Max.Power Dissipation	P	250W	T=25℃
Linear Derating Factor		2W/℃
Gate-to-Source Voltage	V	:20V
Single Pulse Avalanche Energy (see note 2)	E	980mJ
Avalanche Current (see note 1)	I	23A
Repetitive Avalanche Energy (see note 1)	E	25mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (se note 3)	dv/dt	4V/ns
Operating JunctionTempeature	T	55℃to 150℃
Storage Temperature Range	T	-55℃to 150℃
Lead Temperature		300℃	0.063in. (1.6mm)from case for 10s
Weight (typical)		9.3g

　Solitron SMF178 500V n沟道功率MOSFET 是一款高性能的半导体器件，适用于各种需要高电压和高电流处理能力的应用。其出色的电气特性、快速切换能力和可靠性使其成为工业和消费电子领域的理想选择。无论是用于电源管理、电机控制还是其他高功率应用，SMF178 都能提供卓越的性能和稳定性。

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