中国·新葡萄(8883·AMG)官方网站 - Ultra Platform



BCR198WH6327XTSA1数字双极型晶体管Infineon

发布时间：2024-12-13 08:59:50     浏览：1998

　　BCR198WH6327XTSA1是由Infineon生产的BCR198系列高性能PNP硅数字晶体管，专为数字信号处理需求而设计。这款晶体管以其快速开关能力和低功耗特性，适用于多种数字电路应用，包括开关电路、反相器、接口电路和驱动电路等。

BCR198WH6327XTSA1数字双极型晶体管Infineon

　　产品特性：

　　内置偏置电阻：R1 = 47 kΩ 和 R2 = 47 kΩ，简化电路设计。

　　环保封装：无铅封装，符合RoHS标准，对环境友好。

　　认证：通过AEC Q101认证，适用于汽车电子应用。

　　单一配置：便于设计和应用。

　　卷带包装：确保产品在运输过程中的安全，并实现快速安装。

　　电气参数：

　　最大连续直流集电极电流(IC)：100 mA

　　最小直流电流增益(hFE)：70 @ 5mA @ 5V

　　最大集电极发射极饱和电压(VCEsat)：0.3V @ 0.5mA @ 10mA

　　最大集电极发射极电压(VCEO)：50V

　　最大功耗(Ptot)：250mW

　　工作温度范围：-65°C 至 150°C

　　应用领域：

　　BCR198WH6327XTSA1数字双极型晶体管适用于以下领域：

　　汽车电子：由于其AEC Q101认证，适合用于汽车电子产品。

　　工业控制：适用于需要稳定和可靠开关的工业控制系统。

　　通信设备：适用于通信设备中的数字信号处理。

　　消费电子产品：适用于各种消费电子产品中的数字电路。

深圳市新葡萄AMG创展科技有限公司公司，优势分销Infineon英飞凌部分产品线，快速交付，欢迎联系。

推荐资讯

  • RO3010?层压板Rogers
    RO3010?层压板Rogers 2023-03-29 15:18:05

    Rogers? RO3010?先进性电源电路板材是陶瓷填充的PTFE复合材质，提供较高的相对介电常数和优质系统的稳定性。

  • IR HiRel GaN HEMT –氮化镓晶体管
    IR HiRel GaN HEMT –氮化镓晶体管 2021-02-22 17:15:14

    ?IR-HiRel?氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有优异的动态导通电阻和较小的电容，非常适合于高速开关。IR-HiRel不仅节省了功率，降低了系统的整体成本，而且允许更高的工作频率，提高了功率密度和系统的整体效率。

在线留言

在线留言
【网站地图】【sitemap】