中国·新葡萄(8883·AMG)官方网站 - Ultra Platform

  • BSS52 TO-39封装NPN达林顿晶体管Solitron Devices

    发布时间：2025-10-14 08:59:41     浏览：428

    　　Solitron Devices BSS52是一款 NPN 达林顿晶体管，专为工业高增益放大器设计，具有高电流、低电压特性，并集成二极管和电阻。它是飞利浦(Philips)的第二来源产品，采用 TO-39 金属封装，适用于严苛的工业环境。

    Solitron Devices BSS52 NPN达林顿晶体管

    　　关键特性

    　　高电流能力：连续集电极电流 1A，峰值可达 2A。

    　　高电压耐受：

    　　集电极-发射极电压(VCES)80V

    　　集电极-基极电压(VCBO)90V

    　　集成保护：内置二极管和电阻，简化电路设计。

    　　高直流增益(hFE)：

    　　典型值 1000~2000(VCE=10V, IC=150mA~500mA)。

    　　热稳定性：

    　　结温(Tj)范围 -65°C 至 +200°C。

    　　热阻：结到环境(Rth j-a)220K/W，结到外壳(Rth j-c)35K/W。

    　　极限参数

    　　集电极-基极电压(VCBO):90V

    　　集电极-发射极电压(VCES):80V

    　　发射极-基极电压(VEBO):5V

    　　集电极电流(IC)：1A(连续), 2A(峰值)

    　　功耗(Ptot)：0.8W(环境25°C) / 5.0W(外壳25°C)

    　　电气特性(Typical @25°C)

    　　饱和压降：

    　　VCE(sat): 1.3V(IC=500mA, IB=0.5mA)

    　　VBE(sat): 1.65V(IC=500mA)

    　　开关性能：

    　　开启时间(ton): 1μs(IC=500mA)

    　　关断时间(toff): 5μs(IC=1A)

    　　截止电流：

    　　集电极漏电流(ICES): 50nA(VCE=80V)

    　　封装尺寸：TO-39封装，直径12.7~14.2mm，高度 6.22~6.60mm。

    更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询新葡萄AMG创展。

    推荐资讯

    • Infineon英飞凌TLE94108ESXUMA1汽车半桥驱动器IC
      Infineon英飞凌TLE94108ESXUMA1汽车半桥驱动器IC 2024-04-03 10:02:57

      Infineon英飞凌TLE94108ESXUMA1半桥驱动器IC，专为直流电机负载设计，提供3到12路输出选择，支持SPI接口，具备强大的驱动能力和节能性能，全面保护机制，灵活的接口与控制，适用于多种应用如HVAC翻板直流电机、继电器和发光二极管。

    • BoostLynx系列非隔离式板安装DCDC升压转换器
      BoostLynx系列非隔离式板安装DCDC升压转换器 2024-03-01 16:40:33

      BoostLynx系列非隔离式板安装DCDC升压转换器：ABXS001,ABXS002,ABXS003,ABXS005。提供从 8-16VDC 输入电压到 16-34VDC 或 32-54VDC 输出电压的升压。BoostLynx PoL系列包括65W和130W的高压和低压版本，适用于各类电子产品，特别适合一些需要高于标准12V总线电压的部件，例如蜂窝小基站远程无线电头(RRH)。此外，升压�？榛箍捎糜诮钟械�12V总线升压至24V或48V总线。

    在线留言

    在线留言
    【网站地图】【sitemap】