中国·新葡萄(8883·AMG)官方网站 - Ultra Platform

    Solitron Devices SD11714 1200V SiC N沟道功率MOSFET

    发布时间：2025-05-29 09:00:32     浏览：1831

    　　Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ，采用TO-257 3引脚封装，低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(QG)，具有雪崩能力，气密封装，适用于高可靠性应用。

    Solitron Devices SD11714 1200V SiC N沟道功率MOSFET

    　　主要参数

    　　漏源电压(VDS)：1200V

    　　连续漏极电流(ID)：25°C时为17A

    　　导通电阻(RDS(on))：25°C时为160mΩ

    　　栅极阈值电压(VGS(th))：1.8V~3.6V

    　　最大功耗(PD)：97W

    　　工作温度(TJ)：-55°C~+175°C

    　　体二极管特性

    　　正向电压(VSD)：4.25V

    　　反向恢复时间(trr)：34ns

    　　反向恢复电荷(Qrr)：197nC

    　　应用领域

    　　开关电源

    　　DC-DC转换器

    　　PFC电路

    　　电机驱动

    　　机器人控制

    更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询新葡萄AMG创展。

    推荐资讯

    • Wi2Wi(PDI)LC滤波器
      Wi2Wi(PDI)LC滤波器 2024-01-18 09:11:24

      　Wi2Wi LC系列滤波器是集总元件LC滤波器。这些可以建立在标准和定制包装，包括表面安装，通孔安装和连接封装。LC系列滤波器可采用带通，带阻(陷波)，低通或高通配置制造。Wi2Wi将为您的原型需求、大规模生产能力和有竞争力的价格提供定制频率和带宽的快速原型。

    • Infineon英飞凌IRF3205PBF单N沟道功率MOSFET
      Infineon英飞凌IRF3205PBF单N沟道功率MOSFET 2024-07-30 09:10:16

      IRF3205PBF是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，耐压55V，适用于直流电机、逆变器等应用。具有高电流能力（110A），低导通电阻（8 mΩ），工作温度范围广（-55°C至175°C），符合JEDEC标准，易于替换。

    在线留言

    在线留言
    【网站地图】【sitemap】