其实反向饱和电流的问题并不复杂，但是又很多的朋友都不太了解什么叫反向电流，因此呢，今天小编就来为大家分享反向饱和电流的一些知识，希望可以帮助到大家，下面我们一起来看看这个问题的分析吧！本文目录pn结加反向电压时的电流称为什么二极管反向饱和电压一般是多少反相电流怎么产生的为什么锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍什么叫反向电流pn结加反向
其实反向饱和电流的问题并不复杂，但是又很多的朋友都不太了解什么叫反向电流，因此呢，今天小编就来为大家分享反向饱和电流的一些知识，希望可以帮助到大家，下面我们一起来看看这个问题的分析吧！
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pn结加反向电压时的电流称为什么
称为反向饱和电流。pn结加反向电压时，外部电场的方向与内部电场的方向一致，pn结变厚，内部电场对半导体多子的扩散运动抑制加强，但对少子的漂移运动助力提高，pn结在内部电场和外部电场的双重作用下，按道理讲反向电流会随着外部电场的加强而增加，但实际上由于少子的数量太少了，所以反向电流不再增加，故称饱和。
二极管反向饱和电压一般是多少
应该是二极管反向击穿电压是多少，而一般都说二极管反向饱和电流，二极管反向击穿电压一般是工作电压2-3倍。二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VBWM一般是VBR的一半。外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。
如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。
因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
反相电流怎么产生的
在由半导体组成的晶体二极管三极管中才有反向电流的概念。
所以反向电流是由少数载流子在内电场作用下所做的漂移运动而形成的
产生原因一是有储能元件,电容或电感.
二是由于电磁感应产生了反电动势
这就是反相电流怎么产生的的原因
为什么锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍
在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。开始导通后，锗管电流增大速度较慢，硅管电流增大速度相对较快。
硅二极管反向电流远小于锗二极管反向电流，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下的ni比硅的ni高约三个数量级，因此在相同掺杂浓度下的少数硅浓度远低于少数铌的浓度，因此硅的反向饱和电流管非常小。
什么叫反向电流
当二极管加反向电压的时候，二极管中就流过反向电流。这个电流很小，反向电压，电流微微增加，达到反向饱和电流时，不再随电压增加而增大。
反向电压过大，二极管击穿后，反向电流急剧增加，如果不采取措施就会烧毁二极管。需要说明的是稳压二极管工作在反向击穿区。
好了，文章到这里就结束啦，如果本次分享的反向饱和电流和什么叫反向电流问题对您有所帮助，还望关注下本站哦！
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